参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RF4E110GNTRn: 0
说明	功率MOSFET   DFN2020-8
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2024-05-08]
连续漏极电流Id	11A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	7.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	11.3mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	±20V
上升时间	5.5ns
下降时间	3ns
典型关闭延迟时间	21ns
典型接通延迟时间	9ns
封装/外壳	DFN2020-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	6S
系列	RF4E110GN
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C